對(duì)于鈣鈦礦太陽(yáng)能電池、疊層和多結(jié)太陽(yáng)能電池的精準(zhǔn)測(cè)量，雙燈/雙源太陽(yáng)光模擬器能更好的避免光譜失配對(duì)測(cè)試的影響，從而提高了測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

評(píng)估光譜失配對(duì)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池測(cè)試的影響，需要結(jié)合理論量化和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，通過(guò)針對(duì)性分析關(guān)鍵參數(shù)的偏差規(guī)律、材料特性的依賴(lài)性及測(cè)試重復(fù)性，明確誤差來(lái)源和程度。以下是具體的評(píng)估方法和步驟：

一、核心量化指標(biāo)：光譜失配因子（MMF）的計(jì)算

光譜失配因子（Mismatch Factor, MMF）是評(píng)估光譜失配程度的核心參數(shù)，其物理意義是 “測(cè)試條件下電池的短路電流與標(biāo)準(zhǔn)條件（AM 1.5G）的比值"，直接反映光譜失配對(duì) Jsc 的影響。計(jì)算公式如下：

計(jì)算步驟與意義：

1. 測(cè)量關(guān)鍵輸入數(shù)據(jù)：

· 用光譜儀測(cè)量太陽(yáng)光模擬器在鈣鈦礦吸收波段（300~1000 nm，根據(jù)帶隙調(diào)整）的Esim(λ)；

· 測(cè)量電池的EQE(λ)（需確保 EQE 測(cè)試精度，尤其是吸收截止波長(zhǎng)附近）。

2. 計(jì)算 MMF：若 MMF=1，說(shuō)明光譜十分匹配；

MMF>1 表明模擬器在電池敏感波段光強(qiáng)過(guò)高，測(cè)量 Jsc 被高估；

MMF<1 則 Jsc 被低估。

3. 校正 Jsc：通過(guò)J sc,_校正=Jsc,_測(cè)量×MMF消除光譜失配對(duì) Jsc 的一階誤差，這是評(píng)估的基礎(chǔ)。

二、關(guān)鍵性能參數(shù)的偏差分析

光譜失配的影響需通過(guò)對(duì)比“失配光譜下的 IV 參數(shù)" 與 “標(biāo)準(zhǔn)光譜下的理論 / 校準(zhǔn)值"，量化各參數(shù)的偏差幅度：

1. 短路電流密度（Jsc）偏差

            · 直接偏差：通過(guò) MMF 計(jì)算理論偏差（ΔJ sc=J sc,_測(cè)量?Jsc,_校正），并計(jì)算相對(duì)偏差（ΔJ sc/J sc,_校正×100%）。

· 判斷建議：AAA 級(jí)模擬器在鈣鈦礦吸收波段（300~800 nm）的相對(duì)偏差若> 15%，說(shuō)明光譜失配嚴(yán)重。

· 波長(zhǎng)依賴(lài)性驗(yàn)證：結(jié)合 EQE 曲線(xiàn)，定位偏差主要來(lái)源波段。例如，若 EQE 在 500 nm 處峰值較高，而模擬器 500 nm 光強(qiáng)比標(biāo)準(zhǔn)譜低，則該波段是 Jsc 偏差的主因。

2. 開(kāi)路電壓（Voc）偏差

· 測(cè)量不同光譜條件下的 Voc（如通過(guò)濾光片改變模擬器光譜分布，保持總光強(qiáng)一致），計(jì)算相對(duì)偏差（ΔVoc/Voc,_校正×100%）。

· 分析規(guī)律：若短波（<500 nm）光強(qiáng)不足導(dǎo)致 Voc 下降，說(shuō)明載流子濃度降低是主因；若長(zhǎng)波過(guò)強(qiáng)導(dǎo)致 Voc 下降，可能是溫度升高（需同步監(jiān)測(cè)電池溫度）。

3. 填充因子（FF）與效率（PCE）的連鎖偏差

· 計(jì)算 FF 的相對(duì)偏差（ΔFF=(FF_測(cè)量?FF_校正)/FF_校正×100%），其中FF校正需結(jié)合校正后的 Jsc 和 Voc 重新計(jì)算。

· PCE 總偏差：通過(guò)ΔPCE=(PCE_測(cè)量?PCE_校正)/PCE_校正×100%評(píng)估，若偏差較大，則需重新校準(zhǔn)光譜。

三、滯后效應(yīng)與重復(fù)性的評(píng)估

光譜失配對(duì)鈣鈦礦 IV 曲線(xiàn)的滯后和重復(fù)性影響需通過(guò)統(tǒng)計(jì)分析驗(yàn)證：

滯后程度波動(dòng)：

· 在同一模擬器下，重復(fù)測(cè)量正掃（從 Voc 到 Jsc）和反掃（從 Jsc 到 Voc）的 IV 曲線(xiàn)，計(jì)算滯后因子（HF=(PCE_反掃?PCE_正掃)/PCE_反掃×100%）。

· 對(duì)比不同光譜條件（如更換模擬器或調(diào)整濾光片）下的 HF 分布，若相對(duì)標(biāo)準(zhǔn)偏差（RSD）較大，說(shuō)明光譜失配加劇了滯后不穩(wěn)定性。

四、組分依賴(lài)性評(píng)估（針對(duì)不同帶隙鈣鈦礦）

由于鈣鈦礦帶隙（吸收截止波長(zhǎng)）隨組分變化，需評(píng)估光譜失配的差異化影響：

1. 窄帶隙鈣鈦礦（如 1.2~1.4 eV，吸收至 900 nm）：

· 重點(diǎn)驗(yàn)證 700~900 nm 波段的光譜匹配，計(jì)算該波段的子 MMF（僅積分 700~900 nm），若子 MMF 偏差較大，則 Jsc 總偏差會(huì)顯著增大。

         注：光譜對(duì)比圖：

-雙光源太陽(yáng)光模擬器光譜從300nm~1200nm與AM1.5G標(biāo)準(zhǔn)光譜幾乎十分吻合；

-單氙燈太陽(yáng)光模擬器光譜則在750nm以后出現(xiàn)很高的峰值和很低的谷值，雖然是A 級(jí)或A+級(jí)光譜，但光譜匹配在小范圍內(nèi)仍然較差!

-對(duì)于疊層太陽(yáng)能電池，中/底電池的主要光譜吸收集中在700nm以后波段，因此，在單燈太陽(yáng)光模擬器上不可避免的會(huì)產(chǎn)生較大誤差；而雙燈/雙光源太陽(yáng)光模擬器可以有效避免該因素影響。

2. 寬帶隙鈣鈦礦（如 1.6~1.8 eV，吸收至 680 nm）：

· 重點(diǎn)驗(yàn)證 350~600 nm 波段的光譜匹配，同時(shí)監(jiān)測(cè) Voc 偏差，若該波段光強(qiáng)波動(dòng)導(dǎo)致 Voc RSD較大，則需針對(duì)性校準(zhǔn)。

3. 對(duì)比實(shí)驗(yàn)：用同一模擬器測(cè)試不同帶隙的鈣鈦礦，繪制“帶隙 - 參數(shù)偏差" 曲線(xiàn)，明確模擬器光譜的 “敏感波長(zhǎng)區(qū)間"。

五、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證：控制變量法與標(biāo)準(zhǔn)電池校準(zhǔn)

1. 控制變量法：

· 保持總光強(qiáng)（100 mW/cm2）不變，通過(guò)更換濾光片（如短波截止濾光片、長(zhǎng)波截止濾光片）改變模擬器光譜分布，測(cè)量 IV 參數(shù)變化。

· 例如：加 650 nm 截止濾光片（移除 > 650 nm 光）后，寬帶隙鈣鈦礦（吸收至 680 nm）的 Jsc 應(yīng)顯著下降，若下降幅度與 EQE 預(yù)測(cè)偏差較大，說(shuō)明原光譜在該波段失配。

2. 標(biāo)準(zhǔn)電池對(duì)比：

· 使用經(jīng)認(rèn)證的鈣鈦礦標(biāo)準(zhǔn)電池（或已知性能的參考電池），在待測(cè)太陽(yáng)光模擬器和高精度標(biāo)準(zhǔn)太陽(yáng)光模擬器（如雙燈太陽(yáng)光模擬器、A+A+A 級(jí)，光譜匹配誤差 < ±10%（<±5%更好 MS級(jí)））上分別測(cè)試，對(duì)比參數(shù)偏差。

· 若待測(cè)太陽(yáng)光模擬器的 Jsc 與標(biāo)準(zhǔn)值偏差較大，且通過(guò) MMF 校正后仍較大，則需重新校準(zhǔn)模擬器光譜。

總結(jié)：評(píng)估流程與合格標(biāo)準(zhǔn)

1. 計(jì)算 MMF 并校正 Jsc，確保 Jsc 相對(duì)偏差足夠小；

2. 分析 Voc、FF、PCE 的連鎖偏差，總 PCE 偏差足夠小；

3. 驗(yàn)證滯后因子和參數(shù)重復(fù)性，使得RSD足夠小；

4. 針對(duì)鈣鈦礦組分（帶隙），評(píng)估敏感波段的光譜匹配，子波段 MMF 偏差足夠小。

通過(guò)以上步驟，可系統(tǒng)量化光譜失配的影響程度，為測(cè)試數(shù)據(jù)的可靠性提供依據(jù)。對(duì)于高精度研究，采用雙燈/雙源太陽(yáng)光模擬器（光譜不匹配度<±10%A+ 級(jí) or ±5%MS級(jí)）是一個(gè)理想的選擇。