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kSA BandiT實時襯底溫度測試儀是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統(tǒng)，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化，實時測量晶片/襯底的溫度；并且kSA BandiT 已經(jīng)成功地安裝到眾多的MBE, MOCVD, Sputter, PLD等半導體沉積設備上，實現(xiàn)了晶片的溫度實時檢測。

薄膜生長速率測試儀，采用無損的激光技術實時原位檢測薄膜沉積速率、薄膜厚度以及光學常量（n&k），可廣泛的應用于金屬有機化學氣象沉積MOCVD、分子束外延MBE、濺射系統(tǒng)Sputtering和蒸發(fā)系統(tǒng)等薄膜沉積過程的實時原位監(jiān)控。

反射高能電子衍射儀 RHEED可以由計算機來控制.電子槍控制部分包括一個界面模塊和一個軟件包，這保證了RHEED的使用靈活性，和可重復性.用戶自己設定的參數(shù)可以被保存并調入，通過電子束光闌可以控制電子束的開關，使用電子束搖擺特征可以調節(jié)電子束入射角度.

鋰離子電池電極應力測量系統(tǒng)采用多光束光學傳感器系統(tǒng)（kSA MOS）原位實時應力測量分析，可研究鋰離子電池反應動力學過程中或在正常使用過程中內部會產生應力，對其電化學性能的影響；即就是在充放電過程中鋰離子電池外殼表面的應力變化,得到了充放電循環(huán)中鋰離子電池電極表面的應力大小與電荷狀態(tài)的關系；進而分析充放電過程中應力變化的異同,即產生不可逆應力,充放電曲線不重合。